490NRP95400

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 1)栅较正向驱动电压的大小将对电路性能产生重要影响,必须正确选择。当正向驱动电压增大时,.igbt的导通电阻下降,使开通损耗减小;但若正向驱动电压过大则负载短路时其短路电流ic随uge增大而增大,可能使igbt出现擎住效应,导致门控失效,从而造成igbt的损坏;若正向驱动电压过小会使igbt退出饱和导通区而进入线性放大区域,使igbt过热损坏;使用中选12v≤uge≤18v为好。栅较负偏置电压可防止由于关断时浪涌电流过大而使igbt误导通,一般负偏置电压选一5v为宜。另外,igbt开通后驱动电路应提供足够的电压和电流幅值,使igbt在正常工作及过载情况下不致退出饱和导通区而损坏。

2)igbt快速开通和关断有利于提高工作频率,减小开关损耗。但在大电感负载下igbt的开关频率不宜过大,因为高速开通和关断时,会产生很高的尖峰电压,较有可能造成igbt或其他元器件被击穿。

3)选择合适的栅较串联电阻rg和栅射电容cg对igbt的驱动相当重要。rg较小,栅射较之间的充放电时间常数比较小,会使开通瞬间电流较大,从而损坏igbt;rg较大,有利于抑制dvce/dt,但会增加igbt的开关时间和开关损耗。合适的cg有利于抑制dic/dt,cg太大,开通时间延时,cg太小对抑制dic/dt效果不明显。

4)当igbt关断时,栅射电压很容易受igbt和电路寄生参数的干扰,使栅射电压引起器件误导通,为防止这种现象发生,可以在栅射间并接一个电阻。此外,在实际应用中为防止栅较驱动电路出现高压尖峰,较好在栅射间并接两只反向串联的稳压二极管,其稳压值应与正负栅压相同。Siemens Simadyn D Prozessormodul PT2 6DD1606-1AA0


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