根据三星提供的测试数据,在25℃自然对流(无外部气流) 环境,工作负荷下,860DCT的温度为控制器的67℃,DRAM和NAND的温度分别为54.7℃和59.2℃,这些都远低于该这些部件的温度阈值。因此,即使在在无散热气流的较端条件下,860DCT仍可处于热安全范围内。
三星的*三代48层堆叠TLC V-NAND闪存,单颗容量256Gb(32GB),一共用了500颗之多,闪存总容量为16TB(其余的640GB为冗余容量)。不过因为塞得太多,该盘的体积也比较大,厚度是普通2.5寸盘的两倍。
860DCT在NAND温度达到85℃"临界状态"时:系统按照性能小化运行。如果步DTT运行未能有效控制,临界状态将被激活,进入第二步,此时读写操作仍能继续,但性能将降低到原来的10%。如果温度下降,则回到步DTT状态。
在3.5英寸方面,三星认为2007年比2006年会有8%的成长,而且这种相对温和的成长趋势会一直保持下去。2007年3.5英寸的容量方面,低端80GB的需求会迅速减少,160GB将成为市场的主流,同时曾经比较边缘的250GB以上高容量比重会随着消费者对存储容量增长的需求而加速增长,并且在2008年逐渐接近160GB成为新的主流,400GB、500GB以上的产品到目前为止虽然不是很多,但是在以非常迅猛的速度在成长,尤其是在发达的地区。